Модуль памяти ADATA DDR3L-1600(CL11) 204-Pin SO-DIMM 2GB - SATRON electronics

Модуль памяти ADATA DDR3L-1600(CL11) 204-Pin SO-DIMM 2GB

Модуль памяти ADATA DDR3L-1600(CL11) 204-Pin SO-DIMM 2GB
  • Разработан для оптимизации производительности и надежности
  • Каждая микросхема проверяется строгим контролем качества
  • Низкое энергопотребление обеспечивает высокую эффективность
  • Быстрая полоса пропускания
  • Соответствие RoHS

Это модуль памяти DDR3-1600 (CL11)-11-11-28 SDRAM 256Mx64 бит 2 ГБ (2048 МБ). SPD запрограммирован на стандартную задержку JEDEC 1600 Мбит / с, синхронизацию 11-11-11-28 при 1,35 В. Модуль состоит из четырех 256Mx16bit CMOS DDR3 SDRAM в корпусе FBGA и одного 2Kbit EEPROM в 8pin корпусе TDFN на 204pin стекло-эпоксидной печатной плате.
Модуль представляет собой двухрядный модуль памяти и предназначен для установки в 204-контактные разъемы краевых разъемов. Синхронная конструкция обеспечивает точное управление циклом с использованием системных часов. Транзакции ввода-вывода данных возможны на обоих концах DQS. Диапазон рабочих частот, программируемая задержка и длина пакета позволяют использовать одно и то же устройство для различных высокопроизводительных систем памяти с высокой пропускной способностью.

Преимущества:

  • Питание (норм.): VDD и VDDQ = 1,35 В (1,283–1,45 В)
  • Обратная совместимость для VDD = 1,5 В ± 0,075 В
  • 1,35 В (совместимый с SSTL_15) ввод-вывод
  • Цикл MRS с программами адресного ключа
  • Задержка CAS (5,6,7,8,9,10,11)
  • Длина взрыва (BL): 8 и 4 с прерыванием взрыва (BC)
  • Двунаправленный дифференциальный строб данных (DQS и /DQS)
  • Работа дифференциального тактового входа (CK, /CK)
  • DLL выравнивает переход DQ и DQS с переходом CK
  • Архитектура с удвоенной скоростью передачи данных; две передачи данных за такт
  • 8 независимых внутренних банков
  • Внутренняя калибровка: внутренняя самокалибровка через контакт ZQ (RZQ: 240 Ом ± 1%)
  • Автообновление и самообновление
  • Средний период обновления 7,8 мкс при температуре ниже TCASE 85°C, 3,9 мкс при 85°C < TCASE ≤95°C
  • 8-битная предварительная выборка.
  • На выводе кристалла с помощью контакта ODT.
  • Изделия, не содержащие свинца и галогенов, соответствуют требованиям RoHS.