Данный модуль ADATA представляет собой модуль памяти SDRAM DDR3L-1600(CL11) -11-11-28 512Mx64 бит, ёмкостью 4 ГБ (4096 МБ). SPD запрограммирован на стандартную задержку JEDEC 1600 Мбит/с, с синхронизацией 11-11-11-28 при питании 1.35 В. Модуль состоит из восьми 512Mx8 бит CMOS DDR3 SDRAM в корпусе FBGA и одного 2 Кбит EEPROM с датчиком температуры в 8-контактном корпусе TDFN на 204-контактной стекло-эпоксидной печатной плате.
Модуль представляет собой двухрядный модуль памяти и предназначен для установки на 204-контактные гнезда. Синхронизация конструкции позволяет точно контролировать цикл с помощью системного таймера. Цикл "чтение-запись" возможен как на положительном, так и отрицательном фронте тактовой частоты. Диапазон рабочих частот, программируемые задержки и длины пакетов позволяют использовать одно и то же устройство для различных приложений систем памяти с высокой пропускной способностью и высокой производительностью.
Спецификация:
- Питание (норм.): VDD & VDDQ = 1.35 В(1.283 В -1.45 В)
- Обратная совместимость для VDD = 1.5 В ± 0.075 В
- 1.35 В (совместимость SSTL_15) на входе/выходе
- MRS цикл с программируемой адресацией
- CAS циклы (5,6,7,8,9,10,11)
- Длинна пакета (BL):8 and 4 с прерыванием (BC)
- Двунаправленный, дифференциальный строб данных (DQS and /DQS)
- дифференциальный тактовый сигнал (CK, /CK)
- DLL aligns DQ and DQS transition with CK transition
- Архитектура с двойной скоростью передачи данных; два цикла передачи данных за один такт
- 8 независимых внутренних банков
- Самокалибровка: внутренняя самокалибровка через вывод ZQ (RZQ: 240 Ом ± 1%)
- Автообновление и самообновление при регенерации
- Средний период обновления 7,8 мкс при температуре ниже TCASE 85°C, 3.9 мкс при 85°C < TCASE ≤95°C
- Коммерческая температура ( 0°C ~ 85 °C)
- Промышленная температура ( -40°C ~ 95 °C)
- 8-битная предварительная выборка.
- Используется технология ODT.
- Отвечает стандартам RoHS
